Базовые технологии

• технологии микроэлектроники (полупроводниковая и тонкопленочная);
• технологии прецизионной обработки специальных сплавов для изготовления деталей датчиков (лезвийная обработка, сферодвижное прессование, шлифовка, электрохимикомеханическая полировка);
• технологии лазерной обработки (резки, сварки, подгонки номиналов тонкопленочных резисторов);
• технологии электроэрозионной обработки сложноконтурных поверхностей деталей;
• технологии электрохимического травления и получения покрытий, а также другие технологии.

• шероховатость полированной поверхности Rz 0,1-0,05 мкм;
• минимальная толщина мембранного элемента 0,2±0,01 мм;
• максимальный диаметр мембранного элемента 20 мм;
• плоскостность обработанной поверхности 0,01 мм.

• технологическим процессом прецизионной электроэрозионной обработки непрофилированным электродом. Процесс реализуется на прецизионном электроэрозионном оборудовании с использованием специального устройства ориентирования.
• технологическим процессом прецизионного формообразования методом электрохимического травления. Процесс реализуется в растворе электролита, состоящего из смеси минеральных и органических кислот.

• шероховатость поверхности Ra 2,5 мкм;
• толщина закрытых профилей 0,03-0,01 мм;
• диаметр детали ? 17 мм;
• симметричность 0,005 мм;
• плоскостность 0,005 мм;
• параллельность 0,005 мм.

• изготовление упругого элемента (элемента воспринимающего) и полировка его воспринимающей поверхности (подложки);
• подготовка воспринимающей поверхности ЧЭ перед нанесением тонкой изолирующей пленки;
• нанесение изолирующей тонкой пленки с заданными электрофизическими параметрами на воспринимающую поверхность металлического ЧЭ;
• нанесение тонкой резистивной пленки;
• нанесение тонкой проводящей пленки;
• формирование топологического рисунка тензомоста на ЧЭ;
• сборка модуля измерительного.

• моноокись кремния - SiO;
• двуокись кремния - SiO2;
• окись алюминия - Al2O3.

• резистивные сплавы Х20Н75Ю и П65ХС с удельным поверхностным сопротивлением от 40 до 70 Ом/кв.

• золото, никель; медь и алюминий с адгезионными слоями из хрома и ванадия.

• максимальное количество слоев, наносимых на ЧЭ металлопленочных датчиков, достигает 7.

• по диаметру - от 8 до 50 мм;
• по высоте - от 3 до 60 мм.

• шероховатость поверхностей Rz 0,1;
• толщину маятника от 0,4-0,018 до 1-0,018 мм;
• глубину сквозного травления от 0,4 до 1мм;
• диаметр маятника от 18-0,041 до 30 -0,041 мм;
• толщину рабочих перемычек от 0,02+0,004 до 0,04 +0,004 мм;
• ширину рабочих перемычек от 2 до 4 +0,01 мм.

Уникальность данной технологии заключается в формировании сложного профиля и получении сверхтонких перемычек в твердых, но хрупких материалах. Патент SU 1815251А1 "Способ изготовления упругого подвеса из кварцевого стекла".

Защита электронных преобразователей с бескорпусными ЭРИ и навесными проводниками 0,03 мм от воздействия ударов и вибрационных нагрузок
Заливка компаундом


Подготовка к соединению деталей из ковара, имеющих спай со стеклом или сопряжение с композиционным материалом
Предлагаемая технология полностью исключает щелочную обработку. Обезжиривание производится травильно-полировальным обезжиривающим раствором, состоящим из смеси кислот и ПАВ. Технология исключает щелочное обезжиривание, удаление с поверхности детали напряженных слоев и сглаживание микрошероховатостей.


Изготовление пассивных резистивных и коммутационных плат для узлов электронных на ситалле
Материалы подложек:

• ситалл СТ 50-1-1-1, возможно применение поликора или стекла.

• резистивный сплав К 50С с удельным поверхностным сопротивлением от 100 до 10000 Ом/п. (возможно применение других резистивных материалов по требованию заказчика).

• золото, никель, медь и алюминий с подслоем из хрома или ванадия.

• формирование тензорешетки из фольги НМ23ХЮ или константана на полиимидной пленке для измерения статодинамических деформаций на изделиях из стали, алюминиевых и титановых сплавов.

• база от 3 до 20 мм.

• технология обеспечивает высокую надежность в условиях воздействия вибраций, ударов и влажности. Установка тензорезисторов на изделие с помощью клеев горячего и холодного отверждения.

• формирование фольговых чувствительных элементов терморезисторов и коммутационных плат из никелевой фольги на полиимидной пленке или из фольгированного диэлектрика ЭФН-5.

• размер до 50 мм.

• максимальная длина до 250 мм;
• минимальная ширина дорожек - 0,15 мм;
• минимальный шаг дорожек - 0,1 мм;
• количество слоёв до 2;
• общая толщина кабеля с покровной плёнкой от 0,1 до 0,25 мм.

• сопротивление изоляции до 106 МОм;
• диапазон рабочих температур от минус 100 до +250 оС;
• предельная влажность при эксплуатации - 70 %;
• количество перегибов при минимальном радиусе перегиба 3 мм - не менее 10 000.

• получение сварных соединений с высоким коэффициентом формы шва, узкой зоной теплового воздействия и минимальными деформациями;
• исключение окисления сварного шва в процессе сварки;
• совмещение герметизации узлов датчиков с вакуумированием внутренних полостей (вакуум не ниже 8 x 10-5 мм рт. ст.);
• получение герметичности сварных соединений не ниже 1 x 10-5 л·мкм рт. ст./с.

• шероховатость обработанной поверхности Rа - 0,6 мкм.
• габариты обрабатываемого контура 250х250х150 мм.
• точность обработки 0,003 мм.
• скорость обработки до 40 мм/мин.

• конструкционной стали толщиной до 8 мм;
• нержавеющей стали толщиной до 4 мм;
• сплавов алюминия толщиной до 1,5 мм;
• меди, латуни, титана, бронзы и др;
• неметаллических материалов (кварцевое стекло, керамика, поликор, дерево, оргстекло, резина и др.), а также гравировку и маркировку.